負責人：鄭紹章先生 03-5779911分機406

儀器中文名稱 聚焦離子束與電子束系統

儀器英文名稱  Dual beam (focused ion beam & electron beam) system

儀器廠牌  FEI

    建置在本中心之聚焦離子束與電子束系統，其硬體基本規格如下：以Ga作為離子源，結合場發射式電子顯微鏡來進行即時監控；此外，除了以高能離子進行直接蝕刻的功能外，輔以氣體輔助蝕刻系統的幫助，可以藉此提高蝕刻之選擇比與提升蝕刻速率，並可直接進行金屬沈積，目前已有之輔助蝕刻氣體為 SCM、IEE，而輔助沈積的氣體為Pt。

儀器主要規格

電子源：場發射式

離子源: Ga 液態金屬離子源

加速電壓:   電子束—30kV、  離子束—30kV

影像解析度：SEM— 1.5nm、FIB—7nm

工作範圍: 50mm

載具: 5軸

氣體注入系統: Pt 金屬輔助沈積、TEOS絕緣層沈積、絕緣材料輔助蝕刻、有機高分子輔助蝕刻、金屬輔助蝕刻（以鋁為主）

製程應用：離子束直接進行蝕刻，基材可以為矽、二氧化矽與金屬等。

製程規格：依材料特性有所不同，其中可在矽基材表面蝕刻30nm之溝槽。

服務方式：委託研究計畫

圖二離子束於矽基材表面蝕刻30nm之溝槽

2、氣體輔助沈積

製程應用：1. 利用電子束或離子束進行金屬Pt之沈積。
                  2. 利用離子束進行絕緣層之沈積。
                  3. 利用離子束進行金屬層、絕緣層與高分子聚合物之輔助蝕刻。
　

製程規格：電子束輔助沈積25nm之Pt金屬線。離子束輔助沈積100nm之Pt金屬線。

服務方式：委託研究計畫

圖三電子束沈積25nm之Pt金屬線圖        四離子束沈積100nm之Pt金屬線

應用實例1：
     利用高能離子束進行探針的製作或對AFM的探針進行後處理，製作或處理的方式包括離子束直接蝕刻或鉑金屬氣體輔助沈積，此兩種方式均可以得到直徑約20奈米左右之高深寬比探針頭。
　

圖4高能離子束製作探針：直接蝕刻（左）或鉑金屬氣體輔助沈積（右）

應用實例2：
利用高能離子束與氣體輔助沈積系統進行3D結構製作。
　

圖5高能離子束3d立體結構製作：鉑金屬沈積

應用實例3：
生物樣品剖面處理。